Một số lưu ý khi sữ dụng Mos-gate drive

Hiện nay để điều khiển các bóng công suất ta có thể điều khiển cách ly hoặc không cách ly. Với các drive không cách ly, phổ biến là các Gate drive IC của hãng International Rectifier như  IR2103, IR2110, IR2130 …

Với các các ứng dụng hoạt động ở chế độ xung, các phần tử ký sinh ảnh hưởng đáng kể tới  độ ổn định của mạch . Trong nhiều trường hợp, đặc biệt là khi làm việc ở điện áp hoặc dòng tải cao  các thành phần kí sinh còn phá hủy các IC nay, nguyên nhân có thể thấy rõ ràng qua công thức kinh điển : u = Ldi/dt, vì vậy, quá trình chuyển mạch, các thành phần điện cảm kí sinh có thể gây ra các xung  điện áp vượt qua định mức của IC.

Như hình vẻ ta có thể thấy rõ xung điện áp do kí sinh có thể làm cho điện áp tại chân Vb  < Vcom, điều này sẽ phá hủy IC. Giảm thiểu các tác động kí sinh là tất yếu khi bạn cần mạch làm việc ổn định ở công suất lớn. Để giảm điện cảm kí sinh cần tuân thủ nguyên tắc đường mạch càng lớn, càng ngắn thì kí sinh càng nhỏ. vì vậy công việc layout cần phải cân nhắc kỹ việc sắp xếp linh kiện để sao cho khoảng cách từ IC lái đến Power switch là ngắn nhất có thể, sữ dụng các kết nối trực tiếp từ IC lái đến Power switch (không chạy lòng vòng ), giảm loop area cho low side và high side. Với các nguyên tắc layout đó các bạn có thể giảm đáng kể ký sinh vào mạch .

Dưới đây là một ví dụ layout đối với Ir2110 mà hãng IR thực hiện: